LASER SEMIKONDUKTOR GaAs JENIS DOUBLE HETEROJUNCTION SEBAGAI SUMBER CAHAYA DALAM KOMUNIKASI OPTIK

  • Samy J Litiloly Universitas Pattimura
  • Nicolas Titahelu Universitas Pattimura
Keywords: laser semikonduktor, double heterojunction GaAs, komunikasi optik

Abstract

Abstrak Telah diteliti suatu sistem junction yang tepat sebagai gelombang carrier dalam komunikasi optik. Mula-mula disampaikan asal muasal munculnya Laser Semikonduktor GaAs, kemudian struktur homojunction, khususnya uraian tentang rapat arus ambang dan daya output saat forward-bias; yang memberikan λoutput dengan profil yang tidak tajam (pelebaran 2 μm) dan daya dibawah 10 mW. Setelah itu, pencampuran III-V terhadap GaAs murni, diciptakan untuk mempertajam profil laser output dan memperbesar dayanya. Struktur yang terbaik untuk keperluan ini adalah double heterojunction (DH) dengan salah satu bahan unggulannya adalah Ga1-xInxAs1-yPy. Kemudian ditunjukkan bahwa bahan ini memberikan λoutput ≈ 1,55 μm dan daya output diatas 10 mW dengan efisiensi operasi 70 %.

Downloads

Download data is not yet available.

References

Laud, B. B. 1988. Laser dan Optik Non-Linier, (Penerjemah: Susanto). UI-Press. Jakarta.
Leinwoll, S. 1965. Understanding Lasers and Masers, 37-42. John F. Rider Publ. Inc. New York.
Steele, E. L. 1968. Optical Lasers in Electronics, 224-255. John Wiley and Sons. New York.
Suematsu, Y. and Iga, K-I. 1982. Introduction to Optical Fiber Communications. John Wiley and Sons. New York.
Wilson, J. and Hawkes, J. F. B. 1998. Optoelectronics An Introduction, Prentice Hall International. New Jersey.
Yariv, A. 1989. Quantum Electronics, Third Edition, 243-253. John Wiley and Sons. New York.
Published
2019-07-10
How to Cite
Litiloly, S., & Titahelu, N. (2019). LASER SEMIKONDUKTOR GaAs JENIS DOUBLE HETEROJUNCTION SEBAGAI SUMBER CAHAYA DALAM KOMUNIKASI OPTIK. ALE Proceeding, 2, 128-134. https://doi.org/10.30598/ale.2.2019.128-134